我们现在已知的物理现象,是有一个TMC的效果。因为磁场的影响,电容都会按照顺方向发生改变。

然而ITMC效果,却是与其相反的一种现象,即由磁场电容以相反的方向被改变,到现在为止,观察到的例子尚未首例。

在本研究中使用的材料是铁和氧化铁。两者都是比较常见的材料,但研究小组坚持选择研究。

研究小组成员们把铁和氧化铁之间加上薄的氧化铝层,以制造成“磁隧道结”。当把这样的一种组合放入磁场中时,铁和铁氧化物的磁化平行,电容就会出现减少;相反就会增加,这是反向磁电容效应。

本项研究成果已经刊登在Scientific Reports ,相关研究人员推测,最新研究成果或许可以应用到记忆储存,磁卡等等领域。